SPD18P06PGBTMA1 - MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

codice articolo del costruttore

SPD18P06PGBTMA1

Numero parte interna

AX-SPD18P06PGBTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

898600 Pieces

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Specifiche per SPD18P06PGBTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SPD18P06PGBTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18.6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 80W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SPD18 , SPD18P0

Documenti per SPD18P06PGBTMA1

Schede tecniche : SPD18P06PGBTMA1.pdf

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