W979H2KBVX2E - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-W979H2KBVX2E
fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
130120 Pieces
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Specifiche per W979H2KBVX2E
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
W979H2KBVX2E
fabbricante :
Winbond Electronics
Descrizione :
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo di memoria :
Volatile
Formato di memoria :
DRAM
Tecnologia :
SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria :
512Mb (16M x 32)
Frequenza di clock :
400MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina :
15ns
Tempo di accesso :
-
Interfaccia di memoria :
Parallel
Tensione - Fornitura :
1.14V ~ 1.95V
temperatura di esercizio :
-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
134-VFBGA (10x11.5)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per W979H2KBVX2E
Schede tecniche :
W979H2KBVX2E.pdf
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