VQ1001P-2 - MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-VQ1001P-2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
28413 Pieces
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Specifiche per VQ1001P-2
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : VQ1001P-2
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 4 N-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 830mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 15V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : -
Pacchetto dispositivo fornitore : 14-DIP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per VQ1001P-2
Schede tecniche : VQ1001P-2.pdf
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