NP80N06PLG-E1B-AY - MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
12904 Pieces
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Specifiche per NP80N06PLG-E1B-AY
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NP80N06PLG-E1B-AY
fabbricante :
Renesas Electronics America
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
128nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
6900pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.8W (Ta), 115W (Tc)
temperatura di esercizio :
175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-263
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NP80N06PLG-E1B-AY
Schede tecniche :
NP80N06PLG-E1B-AY.pdf
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