BSS308PEH6327XTSA1 - MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

codice articolo del costruttore

BSS308PEH6327XTSA1

Numero parte interna

AX-BSS308PEH6327XTSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3555130 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BSS308PEH6327XTSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSS308PEH6327XTSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSS308 , BSS308PEH

Documenti per BSS308PEH6327XTSA1

Schede tecniche : BSS308PEH6327XTSA1.pdf

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