NTMD6N03R2G - MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per NTMD6N03R2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : NTMD6N03R2G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 24V
Potenza - Max : 1.29W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : NTM , NTMD6

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Schede tecniche : NTMD6N03R2G.pdf

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