FDD24AN06LA0_SB82179 - INTEGRATED CIRCUIT
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
INTEGRATED CIRCUIT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
67595 Pieces
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Specifiche per FDD24AN06LA0_SB82179
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDD24AN06LA0_SB82179
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
INTEGRATED CIRCUIT
Serie :
PowerTrench®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
7.1A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1850pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
75W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-252AA
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Link correlati :
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Documenti per FDD24AN06LA0_SB82179
Schede tecniche :
FDD24AN06LA0_SB82179.pdf
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