APTM50DHM65T3G - MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
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Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per APTM50DHM65T3G
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APTM50DHM65T3G
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Serie : POWER MOS 8™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 340nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10800pF @ 25V
Potenza - Max : 390W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : SP3
Pacchetto dispositivo fornitore : SP3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per APTM50DHM65T3G
Schede tecniche : APTM50DHM65T3G.pdf
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