EPC2110ENGRT - GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-EPC2110ENGRT
fabbricante
Breve descrizione
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
457535 Pieces
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Specifiche per EPC2110ENGRT
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : EPC2110ENGRT
fabbricante : EPC
Descrizione : GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 60V
Potenza - Max : -
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : Die
Pacchetto dispositivo fornitore : Die
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per EPC2110ENGRT
Schede tecniche : EPC2110ENGRT.pdf
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