PMZ200UNEYL - MOSFET N-CH 30V SOT883

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V SOT883
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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5772920 Pieces
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Specifiche per PMZ200UNEYL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : PMZ200UNEYL
fabbricante : Nexperia USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 30V SOT883
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 89pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DFN1006-3
Pacchetto / caso : SC-101, SOT-883
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : PMZ , PMZ20

Documenti per PMZ200UNEYL

Schede tecniche : PMZ200UNEYL.pdf

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