IRFHM792TRPBF - MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
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Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRFHM792TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRFHM792TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 251pF @ 25V
Potenza - Max : 2.3W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRFHM792TRPBF
Schede tecniche : IRFHM792TRPBF.pdf
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