IRFHM792TRPBF - MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
504785 Pieces
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Specifiche per IRFHM792TRPBF
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRFHM792TRPBF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
251pF @ 25V
Potenza - Max :
2.3W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRFHM792TRPBF
Schede tecniche :
IRFHM792TRPBF.pdf
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