SI4569DY-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
Stato RoHS
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Specifiche per SI4569DY-T1-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI4569DY-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.6A, 7.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 855pF @ 20V
Potenza - Max : 3.1W, 3.2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI45 , SI4569D

Documenti per SI4569DY-T1-E3

Schede tecniche : SI4569DY-T1-E3.pdf

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