SPB08P06PGATMA1 - MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
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MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SPB08P06PGATMA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SPB08P06PGATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Serie : SIPMOS®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 42W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SPB08P06PGATMA1
Schede tecniche : SPB08P06PGATMA1.pdf
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