FDD6680AS - MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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1056135 Pieces
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Specifiche per FDD6680AS

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDD6680AS
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Serie : PowerTrench®, SyncFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 55A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 60W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : FDD6680AS.pdf

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