FDD1600N10ALZD - MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1204915 Pieces
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Specifiche per FDD1600N10ALZD
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDD1600N10ALZD
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
Serie :
PowerTrench®
Stato parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
3.61nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
225pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
14.9W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-252-4L
Pacchetto / caso :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDD1600N10ALZD
Schede tecniche :
FDD1600N10ALZD.pdf
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