TPH3208PS - GANFET N-CH 650V 20A TO220
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-TPH3208PS
fabbricante
Breve descrizione
GANFET N-CH 650V 20A TO220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
51006 Pieces
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Specifiche per TPH3208PS
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TPH3208PS
fabbricante :
Transphorm
Descrizione :
GANFET N-CH 650V 20A TO220
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 8V
Vgs (massimo) :
±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 400V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
96W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220AB
Pacchetto / caso :
TO-220-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TPH3208PS
Schede tecniche :
TPH3208PS.pdf
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