CXDM1002N TR - MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Stato RoHS
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Specifiche per CXDM1002N TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : CXDM1002N TR
fabbricante : Central Semiconductor Corp
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (massimo) : 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.2W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-89
Pacchetto / caso : TO-243AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : CXDM , CXDM10

Documenti per CXDM1002N TR

Schede tecniche : CXDM1002N TR.pdf

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