IRFH8337TR2PBF - MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

codice articolo del costruttore

IRFH8337TR2PBF

Numero parte interna

AX-IRFH8337TR2PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

12136 Pieces

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Specifiche per IRFH8337TR2PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFH8337TR2PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 35A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.2W (Ta), 27W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PQFN (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFH , IRFH833

Documenti per IRFH8337TR2PBF

Schede tecniche : IRFH8337TR2PBF.pdf

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