C2M0280120D - MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3

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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Stato RoHS
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Specifiche per C2M0280120D

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : C2M0280120D
fabbricante : Cree/Wolfspeed
Descrizione : MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Serie : Z-FET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20.4nC @ 20V
Vgs (massimo) : +25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 259pF @ 1000V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247-3
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : C2M , C2M02

Documenti per C2M0280120D

Schede tecniche : C2M0280120D.pdf

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