FQI19N20CTU - MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK

codice articolo del costruttore

FQI19N20CTU

Numero parte interna

AX-FQI19N20CTU

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

70365 Pieces

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Specifiche per FQI19N20CTU

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQI19N20CTU

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK

Serie : QFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.13W (Ta), 139W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK (TO-262)

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQI , FQI19

Documenti per FQI19N20CTU

Schede tecniche : FQI19N20CTU.pdf

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