1N1189R - DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

codice articolo del costruttore

1N1189R

Numero parte interna

AX-1N1189R

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

59210 Pieces

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Specifiche per 1N1189R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N1189R

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard, Reverse Polarity

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 35A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 35A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Chassis, Stud Mount

Pacchetto / caso : DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-5

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 190°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1N , 1N1

Documenti per 1N1189R

Schede tecniche : 1N1189R.pdf

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