IXFX210N17T - MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247

codice articolo del costruttore

IXFX210N17T

Numero parte interna

AX-IXFX210N17T

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9200 Pieces

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Specifiche per IXFX210N17T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFX210N17T

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247

Serie : GigaMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 170V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 210A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 285nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 18800pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1150W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PLUS247™-3

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXF , IXFX2

Documenti per IXFX210N17T

Schede tecniche : IXFX210N17T.pdf

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