AS4C16M32MD1-5BINTR - IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per AS4C16M32MD1-5BINTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AS4C16M32MD1-5BINTR
fabbricante : Alliance Memory, Inc.
Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria : 512Mb (16M x 32)
Frequenza di clock : 200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns
Tempo di accesso : 5ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 90-FBGA (8x13)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : AS4C16 , AS4C16M32

Documenti per AS4C16M32MD1-5BINTR

Schede tecniche : AS4C16M32MD1-5BINTR.pdf

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