FDFMA3N109 - MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

codice articolo del costruttore

FDFMA3N109

Numero parte interna

AX-FDFMA3N109

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1482160 Pieces

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Specifiche per FDFMA3N109

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDFMA3N109

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-MicroFET (2x2)

Pacchetto / caso : 6-VDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDF , FDFMA

Documenti per FDFMA3N109

Schede tecniche : FDFMA3N109.pdf

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