IRF3205ZLPBF - MOSFET N-CH 55V 75A TO-262

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRF3205ZLPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF3205ZLPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3450pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 170W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-262
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IRF3 , IRF320

Documenti per IRF3205ZLPBF

Schede tecniche : IRF3205ZLPBF.pdf

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