PMV120ENEAR - MOSFET N-CH 60V TO-236AB
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-PMV120ENEAR
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
2979520 Pieces
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Specifiche per PMV120ENEAR
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PMV120ENEAR
fabbricante :
Nexperia USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
123 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7.4nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
275pF @ 30V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
513mW (Ta), 6.4W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-236AB
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PMV120ENEAR
Schede tecniche :
PMV120ENEAR.pdf
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