IPD80R2K0P7ATMA1 - MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1205385 Pieces
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Specifiche per IPD80R2K0P7ATMA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPD80R2K0P7ATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Serie : CoolMOS™ P7
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 940mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 175pF @ 500V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 24W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IPD80R2K0P7ATMA1
Schede tecniche : IPD80R2K0P7ATMA1.pdf
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