QS8J2TR - MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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Specifiche per QS8J2TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : QS8J2TR
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1940pF @ 6V
Potenza - Max : 550mW
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore : TSMT8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per QS8J2TR

Schede tecniche : QS8J2TR.pdf

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