IRF7799L2TRPBF - MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
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Specifiche per IRF7799L2TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF7799L2TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 375A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6714pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 4.3W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET L8
Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric L8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRF7799L2TRPBF
Schede tecniche : IRF7799L2TRPBF.pdf
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