DMN1029UFDB-13 - MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

codice articolo del costruttore

DMN1029UFDB-13

Numero parte interna

AX-DMN1029UFDB-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3473270 Pieces

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Specifiche per DMN1029UFDB-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN1029UFDB-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 914pF @ 6V

Potenza - Max : 1.4W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2020-6 (Type B)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN1 , DMN1029

Documenti per DMN1029UFDB-13

Schede tecniche : DMN1029UFDB-13.pdf

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