RJK0629DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
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MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
Stato RoHS
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Specifiche per RJK0629DPE-00#J3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : RJK0629DPE-00#J3
fabbricante : Renesas Electronics America
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 85A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 100W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 4-LDPAK
Pacchetto / caso : SC-83
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : RJK06 , RJK0629D

Documenti per RJK0629DPE-00#J3

Schede tecniche : RJK0629DPE-00#J3.pdf

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