IPP020N06NAKSA1 - MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3

codice articolo del costruttore

IPP020N06NAKSA1

Numero parte interna

AX-IPP020N06NAKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

101430 Pieces

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Specifiche per IPP020N06NAKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPP020N06NAKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Ta), 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 143µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 106nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3W (Ta), 214W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPP02 , IPP020N

Documenti per IPP020N06NAKSA1

Schede tecniche : IPP020N06NAKSA1.pdf

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