IRF8513TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IRF8513TRPBF

Numero parte interna

AX-IRF8513TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

27412 Pieces

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Specifiche per IRF8513TRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF8513TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 766pF @ 15V

Potenza - Max : 1.5W, 2.4W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF8 , IRF851

Documenti per IRF8513TRPBF

Schede tecniche : IRF8513TRPBF.pdf

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