SUP53P06-20-GE3 - MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB

codice articolo del costruttore

SUP53P06-20-GE3

Numero parte interna

AX-SUP53P06-20-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

20000 Pieces

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Specifiche per SUP53P06-20-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SUP53P06-20-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.2A (Ta), 53A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 115nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SUP53 , SUP53P0

Documenti per SUP53P06-20-GE3

Schede tecniche : SUP53P06-20-GE3.pdf

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