SQV120N10-3M8_GE3 - MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

codice articolo del costruttore

SQV120N10-3M8_GE3

Numero parte interna

AX-SQV120N10-3M8_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

225955 Pieces

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Specifiche per SQV120N10-3M8_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQV120N10-3M8_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7230pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 250W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-262-3

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per SQV120N10-3M8_GE3

Schede tecniche : SQV120N10-3M8_GE3.pdf

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