FDS3812 - MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

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Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Stato RoHS
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Specifiche per FDS3812

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDS3812
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 74 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 40V
Potenza - Max : 900mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per FDS3812

Schede tecniche : FDS3812.pdf

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