SI8800EDB-T2-E1 - MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

codice articolo del costruttore

SI8800EDB-T2-E1

Numero parte interna

AX-SI8800EDB-T2-E1

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2707305 Pieces

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Specifiche per SI8800EDB-T2-E1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI8800EDB-T2-E1

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 8V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-Microfoot

Pacchetto / caso : 4-XFBGA, CSPBGA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI880 , SI8800E

Documenti per SI8800EDB-T2-E1

Schede tecniche : SI8800EDB-T2-E1.pdf

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