LL4006G L0 - DIODE GEN PURP 800V 1A MELF

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 800V 1A MELF
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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6114900 Pieces
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Specifiche per LL4006G L0

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : LL4006G L0
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 1A MELF
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Corrente: media rettificata (Io) : 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore : MELF
Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : LL4 , LL400

Documenti per LL4006G L0

Schede tecniche : LL4006G L0.pdf

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