TK17E65W,S1X - MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

codice articolo del costruttore

TK17E65W,S1X

Numero parte interna

AX-TK17E65W,S1X

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

21920 Pieces

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Specifiche per TK17E65W,S1X

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK17E65W,S1X

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Serie : DTMOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 17.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 900µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 300V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 165W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK17 , TK17E6

Documenti per TK17E65W,S1X

Schede tecniche : TK17E65W,S1X.pdf

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