SI1489EDH-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
52770 Pieces
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Specifiche per SI1489EDH-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI1489EDH-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
48 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-363
Pacchetto / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI1489EDH-T1-GE3
Schede tecniche :
SI1489EDH-T1-GE3.pdf
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