SI3458DV-T1-E3 - MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
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Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI3458DV-T1-E3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI3458DV-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI3458DV-T1-E3
Schede tecniche : SI3458DV-T1-E3.pdf
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