SCTWA10N120 - IC POWER MOSFET 1200V HIP247

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
61540 Pieces
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Specifiche per SCTWA10N120

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SCTWA10N120
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Serie : *
Stato parte : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : -
Drain to Source Voltage (Vdss) : -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : -
temperatura di esercizio : -
Tipo di montaggio : -
Pacchetto dispositivo fornitore : -
Pacchetto / caso : -
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SCT , SCTWA

Documenti per SCTWA10N120

Schede tecniche : SCTWA10N120.pdf

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