NDBA180N10BT4H - MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

codice articolo del costruttore

NDBA180N10BT4H

Numero parte interna

AX-NDBA180N10BT4H

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

21808 Pieces

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Specifiche per NDBA180N10BT4H

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NDBA180N10BT4H

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 180A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V, 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6950pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 200W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NDBA , NDBA180

Documenti per NDBA180N10BT4H

Schede tecniche : NDBA180N10BT4H.pdf

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