STD6N65M2 - MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-STD6N65M2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
594045 Pieces
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Specifiche per STD6N65M2
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : STD6N65M2
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Serie : MDmesh™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.8nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 226pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 60W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per STD6N65M2
Schede tecniche : STD6N65M2.pdf
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