RS1JL M2G - DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-RS1JL M2G
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
11002520 Pieces
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Specifiche per RS1JL M2G
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : RS1JL M2G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Corrente: media rettificata (Io) : 800mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore : Sub SMA
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per RS1JL M2G
Schede tecniche : RS1JL M2G.pdf
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