DMT10H015LCG-13 - MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

codice articolo del costruttore

DMT10H015LCG-13

Numero parte interna

AX-DMT10H015LCG-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

995325 Pieces

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Specifiche per DMT10H015LCG-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMT10H015LCG-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Ta), 34A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33.3nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1871pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : V-DFN3333-8

Pacchetto / caso : 8-VDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMT10 , DMT10H0

Documenti per DMT10H015LCG-13

Schede tecniche : DMT10H015LCG-13.pdf

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