IXFT58N20Q - MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

codice articolo del costruttore

IXFT58N20Q

Numero parte interna

AX-IXFT58N20Q

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

50136 Pieces

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Specifiche per IXFT58N20Q

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFT58N20Q

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

Serie : HiPerFET™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 58A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-268

Pacchetto / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per IXFT58N20Q

Schede tecniche : IXFT58N20Q.pdf

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