IRF1010Z - MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

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Breve descrizione
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRF1010Z

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF1010Z
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2840pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 140W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IR , IRF1

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Schede tecniche : IRF1010Z.pdf

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