BSS84PH6327XTSA1 - MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23

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MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
Stato RoHS
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Specifiche per BSS84PH6327XTSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BSS84PH6327XTSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
Serie : SIPMOS®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.5nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 19pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 360mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : BSS84 , BSS84PH6

Documenti per BSS84PH6327XTSA1

Schede tecniche : BSS84PH6327XTSA1.pdf

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