PHB11N06LT,118 - MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
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Breve descrizione
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per PHB11N06LT,118
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : PHB11N06LT,118
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 33W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per PHB11N06LT,118
Schede tecniche : PHB11N06LT,118.pdf
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